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功率模塊MOSFET、 IGBT,、二極管和晶閘管的數(shù)據(jù)文件

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電壓:它使用兩個(gè)極性來(lái)描述這之間的電壓。當(dāng)正電極端口到負(fù)極端口的電壓為正,例如: 的VCE。

--C 集電極

--E 發(fā)射極

--G 柵極

--D 漏極

--S 源極

--K 陰極

--A 陽(yáng)極

對(duì)于二極管不是用“AK”,而是用“F”代表正向(“正向”是從陽(yáng)極電位同陰極電位的差l)和“R”的表示反向

電壓(“反向” ,陰極電位和陽(yáng)極電位的差l)。對(duì)于晶體管的下標(biāo),除了兩個(gè)字母外還可以用第三個(gè)字

母表示連接狀態(tài),例如: VCES是指IGBT的“柵極和發(fā)射極之間短路”。以下縮寫(xiě)字母允許被使用:

-- S: 短路

-- R: 指定電阻電路;

-- V: 指定的外部電壓;

-- X: 指定電阻和外部電壓

在字母下標(biāo)的前面或后面還可以使用另外的字母來(lái)表示元器件的參數(shù)(如V(BR)DS或VGE(th)或VCEsat),有

無(wú)括號(hào)和大小寫(xiě)均可,例如:

-- (BR): 擊穿電壓(“Break”);

-- sat: 飽和電壓(“saturation”);

-- (th): 門(mén)限電壓或開(kāi)啟電壓(“threshold”);

-- clamp: 外部鉗位電路限制電壓。

電源電壓下標(biāo)符號(hào)表示電源連接端口,它用兩個(gè)雙寫(xiě)字母表示例如:VGG(柵極-發(fā)射極電流回路的電

源電壓),VCC, VDD 。

電流: 它的下標(biāo)字母是使用流入元器件端口的一個(gè)縮寫(xiě)字母(例如,IG是柵極電流,G 代表柵極,C

代表集電極)。從端口流入的電流為正電流。在二極管中是用“F“表示正向電流(從陽(yáng)極到陰極)和“R”

表示反向電流(從陰極到陽(yáng)極)。但截止電流和漏電流例外,它們用二個(gè)下標(biāo)字母表述了截止電壓加

在元器件的兩個(gè)端口。這里同電壓一樣,還可以用第三個(gè)字母表示連接狀態(tài),例如: IGES。在這些

字母下標(biāo)的前面或后面還可以使用另外的字母來(lái)表示元器件的參數(shù),有無(wú)括號(hào)和大小寫(xiě)均可,例如:

-- av: 平均值 (average value);

-- rms: 有效值 (root mean square);

-- M: 峰值 (maximum);

-- R: 周期 (repetitive) ;

-- S: 非周期 (spike);

-- puls: 脈沖調(diào)制 (Gleichstrom).

熱量參數(shù): 溫度總是用大寫(xiě)的T表示。最常用的下標(biāo)有:

-- j 截止層(結(jié)),老的參考書(shū)用“vj”表示

-- c 外殼,這里是指散熱底座

-- s 散熱板(片),老的參考書(shū)用“ h”表示散熱器

-- r 參考點(diǎn),通常指集成溫度傳感器

-- a 環(huán)境,這里通常是指冷卻液(水)的溫度

溫差以及熱阻(Rth)或熱阻抗(Zth)使用由連字符隔開(kāi)的兩個(gè)字母,表示在這兩點(diǎn)之間的值,例

如,DT(j-a)和Rth(c-s)。

機(jī)械參數(shù):這些參數(shù)主要涉及元器件的組裝。關(guān)鍵變量M是螺釘連接和散熱器安裝時(shí)的扭矩,還有變

量F是連接端口同安裝表面的作用力。

其他符號(hào):對(duì)于一些在其他專(zhuān)業(yè)使用的術(shù)語(yǔ)和符號(hào)都可以被使用。有些使用括號(hào)表示開(kāi)關(guān)狀態(tài)(on,

開(kāi)通)(off,關(guān)閉)。

極限值,額定值

極限值、額定值通常以表格形式給出,有時(shí)也會(huì)以曲線圖的形式。

極限值 (Ratings)

在模塊的數(shù)據(jù)文件中給出的極限值是在模塊不會(huì)被徹底破壞時(shí),電子,熱力和機(jī)械方面允許的邊界

值。“正常”的元件老化會(huì)發(fā)生在這些極限值內(nèi)。每個(gè)極限值都是在特定的、不可忽視的限制條件下

得出的。在不同的環(huán)境條件下,可能會(huì)得出不同的極限值,因?yàn)樗h(huán)境條件有很緊密的聯(lián)系。

極限值是絕對(duì)的,在給出元器件的一組極限值中,即使超出其中的某一個(gè)極限值就會(huì)導(dǎo)致元器件的

損壞。除了“靜態(tài)”的極限值以外,還存在“動(dòng)態(tài)”極限值,即限制了開(kāi)關(guān)過(guò)程中工作點(diǎn)的移動(dòng)(電流/電

壓)。除非另有說(shuō)明,否則,在數(shù)據(jù)表中列出的極限值都是在芯片或者外殼溫度為25°C時(shí)得出的,

所以在較高的環(huán)境溫度時(shí),極限值有可能會(huì)被降低。

額定值 (特征值)

額定值就是在一定的環(huán)境條件(通常是實(shí)際應(yīng)用條件下)測(cè)試確定的元器件特征值。同樣,每個(gè)額定

值都是在一定的,不可忽視的環(huán)境條件下得出的。因?yàn)檫@些環(huán)境條件的不規(guī)范,額定值常常以典型

參數(shù)值給出。它通常是在參考溫度(芯片或外殼溫度)為25°C時(shí)給出的,有時(shí)也會(huì)在溫度為125°C或

150°C時(shí)給出參數(shù)。在不同溫度時(shí),必須考慮額定值參數(shù)數(shù)值的變化,這種變化是同溫度有關(guān)。

 

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